CdSiP2晶体退火及对红外光学性能的影响

稀有金属材料与工程, 2016, 45(10): 2723-2728.

CdSiP2晶体退火及对红外光学性能的影响

林莉 ^1, , 赵北君 ^2, , 朱世富 ^3, , 何知宇 ^4, , 陈宝军 ^5, , 孙宁 ^6, , 黄巍 ^7, , 杨登辉 ^8, , 钟义凯 ^9,

1.四川大学,四川成都,610064

2.四川大学,四川成都,610064

3.四川大学,四川成都,610064

4.四川大学,四川成都,610064

5.四川大学,四川成都,610064

6.四川大学,四川成都,610064

7.四川大学,四川成都,610064

8.四川大学,四川成都,610064

9.四川大学,四川成都,610064

基金项目: 国家自然科学基金(51172149)

关键词： CdSiP2晶体 , 退火热处理 , 红外吸收系数 , 红外透射Mapping图像 , 红外透过均匀性

Effect of Annealing on Infrared Optical Properties of CdSiP2 Crystal

Keywords： CdSiP2 crystal , annealing , infrared absorption coefficient , the Mapping image of infrared transmission , infrared transmission uniformity

采用改进的布里奇曼法生长出CdSiP2单晶体,运用X射线能谱仪、傅里叶变换红外分光光度计以及红外显微镜等对在不同气氛中退火前后的CdSiP2晶体进行了组分元素、红外吸收系数以及红外透过均匀性测试,根据红外显微镜Mapping图像的标准差值评判了晶体的红外透过均匀性.研究结果表明,经真空、CdSiP2粉末包裹、P/Cd(原子比为2:1)、Cd气氛等退火后,晶体组分元素的化学计量比、红外吸收系数和红外光学均匀性都得到了不同程度的改善,其中在1.29～2.00 μum,经CdSiP2粉末包裹退火后的晶体吸收系数改善显著,在1.92～1.98 μm波段的红外透过均匀性提高了14.06％;而在Cd气氛下退火后晶体的吸收系数在2.00～6.50 μm波段降低最为明显,在2.70～2.78 μm波段红外透过均匀性提高了17.43％.分析讨论了在上述波段中引起晶体红外吸收和红外透过不均匀性的主要因素,研究出较为有效的CdSiP2晶体退火工艺.

参考文献

上一张下一张

计量

下载量()
访问量()

作者相关

文章评分

您的评分：
1

0%
2

0%
3

0%
4

0%
5

0%

材料期刊网