HfC与TaC在热压过程中易生成HfC+4TaC固溶体,为了预报该固溶体的宏观性能,采用固体与分子经验电子理论(EET),对其价电子结构进行分析,并与TaC、HfC基体进行比较.结果表明,在4TaC+HfC固溶体中,Ta的杂阶保持不变,而Hf、C原子的杂阶略有变化;在4HfC+TaC固溶体中,Hf、C原子的杂阶保持不变,而Ta原子的杂阶剧烈变化.2种固溶体的价电子结构与宏观性能均在HfC与TaC基体之间,并分别接近对应的基体.4种材料的硬度、强度、结合能、熔点排序从低到高依次为HfC、4HfC+TaC、4TaC+HfC、TaC.从能量与熔点角度分析,HfC与TaC接触时容易生成4TaC+HfC固溶体,而4HfC+TaC固溶体就难以生成.
参考文献
[1] | Ibrahim I A;Mohamed F A;Laveria E J .[J].Journal of Materials Science,1991,26:1137. |
[2] | 李荣久;茹红强;孙旭东.陶瓷金属复合材料[M].北京:冶金工业出版社,2002:57. |
[3] | 李金平,韩杰才,李庆芬,孟松鹤,张幸红.双相颗粒混杂增韧HfB2陶瓷复合材料的研究[J].材料工程,2006(01):24-26,65. |
[4] | Opila E;Levine S;Lorincz J .Oxidation of ZrB2- and HfB2-based ultra-high temperature ceramics: Effect of Ta additions[J].Journal of Materials Science,2004(19):5969-5977. |
[5] | 刘宁,田春艳,舒士明,徐根应,张瑞林.ZrC和HfC的价电子结构及其性能研究[J].硅酸盐学报,1998(02):210-216. |
[6] | 孙家涛,范润华,刘冰,陈云,尹衍升.碳化物价电子结构及其界面电子密度分析[J].人工晶体学报,2004(03):316-319. |
[7] | 张瑞林.固体与分子经验电子理论[M].长春:吉林科学技术出版社,1993:231-288,337. |
[8] | 蔡作乾;王琏;杨根.陶瓷材料辞典[M].北京:化学工业出版社,2002:260. |
[9] | 周玉.陶瓷材料学[M].北京:科学出版社,2004:5. |
[10] | 冯瑞.金属物理学第一卷:结构与缺陷[M].北京:科学出版社,2000:108. |
[11] | 钱逸泰.结晶化学[M].Hefei:Chinese Science Technology University Press,2005:196. |
[12] | 王焕荣,叶以富,闵光辉,秦敬玉,王伟民.TiC价电子结构及其性质分析[J].科学通报,2001(03):215-218. |
上一张
下一张
上一张
下一张
计量
- 下载量()
- 访问量()
文章评分
- 您的评分:
-
10%
-
20%
-
30%
-
40%
-
50%