扫描透射电镜对GaInAsSb/GaSb异质结截面的研究

功能材料, 2000, 31(5): 505-507.

扫描透射电镜对GaInAsSb/GaSb异质结截面的研究

张子旸 ^1, , 张宝林 ^2, , 周天明 ^3, , 蒋红 ^4, , 金亿鑫 ^5, , 李树玮 ^6, , ^7,

1.中国科学院长春物理研究所,吉林,长春,130021

2.中国科学院长春物理研究所,吉林,长春,130021

3.中国科学院长春物理研究所,吉林,长春,130021

4.中国科学院长春物理研究所,吉林,长春,130021

5.中国科学院长春物理研究所,吉林,长春,130021

6.Materials of Electrical Engineering,Gerhard-Mercator-University Duisburg,47048,Duisburg,Germany

7.Materials of Electrical Engineering,Gerhard-Mercator-University Duisburg,47048,Duisburg,Germany

基金项目: 德国洪堡基金国家科技攻关项目

关键词： GaInAsSb , 位错 , 层错 , STEM

Study on the Interface of GaInAsSb/GaSb Heterostructure with Scanning Transmission Electron Microscope

报道了用STEM(扫描透射电子显微镜)对GaIn-AsSb/GaSb异质结的截面不同部分进行分析和研究的初步结果.STEM图像表明,在四元合金GaInAsSb与衬底GaSb的晶格常数不相同时,将会由于晶格的不匹配而产生失配位错和层错,这些缺陷是对应力的一种释放形式,包括60°位错、90°位错和堆垛层错,并且发现只有90°位错才会在外延层表面产生脊.

参考文献

[1]	Hayaski I et al.[J].Journal of Applied Physiology,1993,32:266.
[2]	Beanland R .[J].Journal of Applied Physics,1992,72:4003.
[3]	Chang J C P;Chin T P;Woodall J M .[J].Applied Physics Letters,1996,69:981.
[4]	Donson B W .[J].Applied Physics Letters,1988,53:37.
[5]	Vennegues P.;Bousquet V.;Ongaretto C.;Tournie E.;Faurie JP.;Muller B. .MICROSTRUCTURAL STUDY OF PSEUDOMORPHIC ZNSE FILMS GROWN ON BARE GAAS SUBSTRATES[J].Journal of Crystal Growth,1997(1/2):45-52.
[6]	Petruzello J;Greenberg B I;Cammack D A et al.[J].Journal of Applied Physics,1988,63:2300.
[7]	Tanimura J;Wada Q;Ogama T et al.[J].Journal of Applied Physics,1995,77:6223.
[8]	Kuo L H;Salamanca-Riba L;Depuydt J M et al.[J].Philosophical Magazine A:Physics of Condensed Matter:Structure,Defects and Mechanical Properties,1994,A69:301.
[9]	杨顺华.晶体位错理论基础[M].北京:科学出版社:519.

上一张下一张

计量

下载量()
访问量()

作者相关

文章评分

您的评分：
1

0%
2

0%
3

0%
4

0%
5

0%

材料期刊网