低维GaN纳米材料的最新研究进展

稀有金属材料与工程, 2002, 31(5): 321-324.

低维GaN纳米材料的最新研究进展

李镇江 ^1, , 李贺军 ^2, , 陈小龙 ^3, , 李克智 ^4, , 曹永革 ^5, , 李建业 ^6,

1.西北工业大学,陕西西安,710072

2.西北工业大学,陕西西安,710072

3.中国科学院物理所和凝固态物理中心,北京,100080

4.西北工业大学,陕西西安,710072

5.中国科学院物理所和凝固态物理中心,北京,100080

6.中国科学院物理所和凝固态物理中心,北京,100080

基金项目: 国家自然科学基金(10044001) 中国科学院资助项目(KY951-A1-205-05)

关键词：氮化镓 , 量子点(纳米晶) , 纳米线(纳米棒) , 制备方法

Synthesis of Low-dimensional Nano-structural GaN

氮化镓是宽的直接带隙半导体材料,由于其优异的性能,使之成为制作耐高温、大功率、低能耗电子器件,高速场效应晶体管,高效蓝光发光二极管(LED)、激光二极管(LD)和紫外光电导探测器等光电子器件的理想材料.低维GaN纳米材料在基础理论研究和纳米技术应用等方面都具有巨大潜力.因此,近年来低维GaN纳米材料的制备和物性研究已成为热点之一.本文报道了低维GaN纳米材料的最新制备方法的研究进展.

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