CdZnTe晶体(111)面、(110)面和(100)面的蚀坑形貌观察

功能材料, 2004, 35(z1): 3320-3322.

CdZnTe晶体(111)面、(110)面和(100)面的蚀坑形貌观察

陈俊 ^1, , 朱世富 ^2, , 赵北君 ^3, , 高德友 ^4, , 魏昭荣 ^5, , 李含冬 ^6, , 韦永林 ^7, , 唐世红 ^8,

1.四川大学,材料科学系,四川,成都,610064

2.四川大学,材料科学系,四川,成都,610064

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基金项目: 高等学校博士学科点专项科研项目(20020610023) 国家自然科学基金(60276030)

关键词：晶体生长 , 蚀坑密度 , 布里奇曼法 , 晶体定向

The etch pit shapes observation of (111)、 (110) and (100) faces of CZT crystals

利用CdZnte晶体晶面夹角之间的关系采用激光正反射法对改进布里奇曼法生长的CdZnTe单晶进行定向,研磨出了CdZnTe单晶体的(111)、(100)面.采用自行研制的HHKA腐蚀液对三个面进行择优腐蚀,得到了(111)、(100)和(110)面的腐蚀照片,并计算出了蚀坑密度(EPD)约为104～105/m2数量级.结果表明生长晶体的质量较好.

参考文献

[1]	赵北君;朱世富.Cd1-xnxte单晶体的生长研究[J].人工晶体学报
[2]	顾惠明,杨建荣,陈新强,何力.CdZnTe材料（111）B和（211）B面上位错腐蚀坑密度的差异[J].人工晶体学报,1999(02):172-176.
[3]	高德友,赵北君,朱世富,王瑞林,魏昭荣,李含冬,韦永林,唐世红.碲锌镉单晶体的（110）面蚀坑形貌观察[J].人工晶体学报,2004(02):180-183.
[4]	Kolesnikov N N;Akolchin A;Alov D L et al.Growth and characterization of p-type Cd1-xZnxTe(x=0.2,0.3,0.4)[J].Journal of Crystal Growth,1997,174:256-262.
[5]	Gilabert U;Trigubo A B et al.Chemical etching of CdZnTe(111)suffaces[J].Materials Science and Engineering,1994,B27:L11-L15.
[6]	张世杰;刘佐权等.CTZ晶面蚀坑的形貌分析[J].云南大学学报(自然科学版),1995,17(01)

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The etch pit shapes observation of (111)、 (110) and (100) faces of CZT crystals

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