Sb2O3掺杂(Na0.84K0.16)0.5Bi0.5TiO3无铅压电陶瓷的压电与介电性能研究

稀有金属材料与工程, 2006, 35(2): 273-276.

Sb2O3掺杂(Na0.84K0.16)0.5Bi0.5TiO3无铅压电陶瓷的压电与介电性能研究

李月明 ^1, , 陈文 ^2, , 徐庆 ^3, , 周静 ^4, , 顾幸勇 ^5,

1.景德镇陶瓷学院,江西,景德镇,333001;武汉理工大学,湖北,武汉,430070

2.武汉理工大学,湖北,武汉,430070

3.武汉理工大学,湖北,武汉,430070

4.武汉理工大学,湖北,武汉,430070

5.景德镇陶瓷学院,江西,景德镇,333001

基金项目: 湖北省自然科学基金(2002AB076) 中国科学院资助项目(50272044) 日本NSG基金

关键词：钛酸铋钠 , 三氧化二锑 , 无铅压电陶瓷 , 压电性能 , 介电性能

Piezoelectric and Dielectric Properties of Sb2O3 Doped (Na0.84K0.16)0.5Bi0.5TiO3 Lead-Free Ceramics

采用传统陶瓷的制备方法,制备出Sb2O3掺杂的(Na0.84K0.16)0.5Bi0.5TiO3的无铅压电陶瓷.XRD分析表明,Sb2O3的掺杂量在0.1%～0.6%(质量分数)范围内都能够形成纯钙钛矿(ABO3)型固溶体.陶瓷材料的介电常数-温度曲线显示陶瓷在升温过程中存在两个介电常数温度峰,结合不同温度下的电滞回线观测,认为两个介电峰分别是材料的铁电-反铁电和反铁电-顺电相变,宽化的介电峰同时也表明所研究陶瓷具有驰豫铁电体特征.测试了不同组成陶瓷的压电性能,在Sb2O3掺杂量为0.1%时陶瓷的压电常数d33=124 pC/N,为所研究组成中的最大值,平面机电耦合系数kp=24.87%,略有下降,材料的介电常数εT33/ε0和介质损耗tanδ则随掺杂量的增加而增加.

参考文献

[1]	Takenaka T;Sakata K .[J].Ferroelectrics,1989,95:153.
[2]	Takenaka T;Maruramak I .[J].Japanese Journal of Applied Physics,1991,30(9B):2236.
[3]	Park S E;Hong K S .[J].Materials Research,1997,12(08):2152.
[4]	李月明;陈文;徐庆;周静,廖梅松,孙华君 .[J].稀有金属材料与工程,2003,32(z1):544.
[5]	Smolenskii G A;Isupov V A;Agranovakaya A I et al.[J].Soviet Physics Solid State,1961,2(11):2651.
[6]	王天宝;王列娥;卢永康 et al.[J].硅酸盐学报,1986,14(01):14.
[7]	Jafee B;Cook W R;Jafee H.Piezoelectric Ceramics[M].London and New York:Academic Press,1971:154.
[8]	Pronin I P;Svmikov P P;Isupov V A et al.[J].Ferroelectrics,1980,25:395.
[9]	Sakata K;Takenaka T;Naiton Y .[J].Ferroelectrics,1992,131:219.
[10]	李月明,陈文,徐庆,周静,廖梅松.Na0.5 Bi0.5 TiO3-K0.5 Bi0.5 TiO3系铁电体的相变研究[J].功能材料,2004(03):341-343.
[11]	Smolenskii G A;Isupov V A;Agranovskayy A I et al.[J].English Translation,1961,2:2584.

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