光学浮区法生长掺锡氧化镓单晶及性能研究

人工晶体学报, 2015, 44(9): 2354-2358.

光学浮区法生长掺锡氧化镓单晶及性能研究

张小桃 ^1, , 谢建军 ^2, , 夏长泰 ^3, , 张晓欣 ^4, , 肖海林 ^5, , 赛青林 ^6, , 户慧玲 ^7,

1.上海大学材料科学与工程学院,上海200444;中国科学院上海光学精密机械研究所,上海201800

2.上海大学材料科学与工程学院,上海,200444

3.中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800

4.上海大学材料科学与工程学院,上海,200444

5.中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800

6.中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800

7.中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800

基金项目: 上海市科委科技攻关(13111103700) 上海市科研计划能力建设项目(14520500300)

关键词： Sn∶β-Ga2O3 , 浮区法 , 电导率 , 荧光光谱

Growth and Properties of Sn∶β-Ga2O3 Single Crystal by Optical Floating Zone Method

Keywords： Sn∶β-Ga2O3 , floating zone method , conductivity , fluorescence spectrum

作为垂直结构的GaN基LED新型衬底材料,β-Ga2 O3单晶已经引起了人们的广泛关注.β-Ga2O3单晶的导电性是通过掺杂来实现的,Sn4掺入是其中一种很好提高-Ga2O3导电性的方法.利用光学浮区法生长了尺寸为5×20 mm2,掺杂浓度为10％的掺锡氧化镓单晶(Sn∶ β-Ga2O3),并对Sn∶ β-Ga2O3单晶的缺陷密度、导电和荧光光谱特性进行了研究.结果表明:实验制得Sn∶β-Ga2O3样品的线缺陷约为6.51×105/cm2,掺入Sn4+杂质后β-Ga2 O3的电导率增加,样品的最高电导率为2.210 S/cm,同时Sn4+的掺入会抑制β-Ga2O3的红绿光发射.

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