采用有限元法对203.2 mm单晶炉(406.4 mm坩埚)勾形磁场线圈匝数和线圈纵横向层数(纵横向层数比值)以及上下两线圈间距、磁屏蔽体的厚度以及几何结构和尺寸等结构参数对磁场强度Br的影响进行了模拟分析和优化选取.为203.2 mm单晶炉勾形磁场装置结构设计提供了一种可靠的模拟新方法和具有指导意义的经验数据.
参考文献
| [1] | 徐岳生.直拉硅单晶生长的现状与发展[J].河北工业大学学报,2004(02):52-58. |
| [2] | 安涛,高勇,马剑平,李守智,李留臣.单晶炉勾形磁场的优化设计与分析[J].人工晶体学报,2005(02):292-296. |
| [3] | 安涛,高勇,李守智,马剑平,张如亮.勾形磁场的优化设计与实现[J].仪器仪表学报,2007(05):882-887. |
| [4] | Sabhapathy P;Salcudean M E .Numerical Study of Czochralski Growth of Silicon in Axisymmetric Field[J].Journal of Crystal Growth,1998,193:402-412. |
| [5] | 宇慧平,隋允康,张峰翊,王学锋.勾形磁场下提拉法生产单晶硅的数值模拟[J].人工晶体学报,2004(02):217-222. |
| [6] | 伍义生;吴永礼.有限元方法基础教程[M].北京:电子工业出版社,2003 |
| [7] | 马海武;王丽黎;赵仙红.电磁场理论[M].北京:北京邮电大学出版社,2004 |
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