采用扫描电镜、X射线衍射及喇曼光谱等手段研究了HFCVD过程中热丝碳化对金刚石成核特性的影响.热丝经充分碳化后能发射出更多热电子,进而从反应气体中激发出更多原子H和CH3+.使金刚石晶核的孕育期大为缩短,3min内即可在未经表面预处理的Si衬底上获得1010cm-2以上的高晶核密度.
参考文献
[1] | 张文广,夏义本,居建华,王林军.偏压对金刚石薄膜选择性成核和生长影响的研究[J].功能材料,2000(05):510-512. |
[2] | 姚连增.晶体生长基础[M].合肥:中国科学技术大学出版社,1995:158. |
[3] | Lin Z D;ChenY;Chen Q J .[J].中国物理快报(英文版),2001,18(03):753. |
[4] | Tsutsumoto T .[J].Thin Solid Films,1998,317:371. |
[5] | ParkBS;BaikYJ .[J].Diamond and Related Materials,1997,6:1716. |
[6] | 邱东江.影响HFCVD金刚石晶核孕育期的几种因素[J].浙江大学学报(理学版),2000(03):270. |
[7] | Okoli S;Haubner R;Lux B .[J].Surface and Coatings Technology,1991,47:585. |
[8] | 邱东江;顾智企;吴惠桢 .[J].真空科学与技术学报,2000,20:229. |
上一张
下一张
上一张
下一张
计量
- 下载量()
- 访问量()
文章评分
- 您的评分:
-
10%
-
20%
-
30%
-
40%
-
50%