Sol-gel制备PLCT薄膜的结晶特性与电畴结构研究

功能材料, 2005, 36(7): 1024-1029.

Sol-gel制备PLCT薄膜的结晶特性与电畴结构研究

袁小武 ^1, , 肖定全 ^2, , 朱基亮 ^3, , 方瑜 ^4, , 吴家刚 ^5, , 陈强 ^6, , 卢苇 ^7, , 朱建国 ^8,

1.四川大学,材料科学与工程学院,四川,成都,610064

2.四川大学,材料科学与工程学院,四川,成都,610064

3.四川大学,材料科学与工程学院,四川,成都,610064

4.四川大学,材料科学与工程学院,四川,成都,610064

5.四川大学,材料科学与工程学院,四川,成都,610064

6.四川大学,材料科学与工程学院,四川,成都,610064

7.四川大学,材料科学与工程学院,四川,成都,610064

8.四川大学,材料科学与工程学院,四川,成都,610064

基金项目: 国家自然科学基金(50132020,10173045)

关键词： PLCT , 铁电薄膜 , SEM , AFM , PFM

The crystalline property and domain structures of PLCT films prepared by sol-gel process

运用sol-gel技术制备了(Pb,La,Ca)TiO3(简写为PLCT)铁电薄膜;利用XRD、SEM、AFM和EDAX分析了PLCT薄膜的结构、表面形貌和组分.XRD衍射结果表明,PLCT薄膜呈钙钛矿结构.随着退火时间的增加,PLCT薄膜的XRD衍射峰的强度也随之增加.SEM、AFM分析表明,PLCT铁电薄膜表面平整、致密、无裂缝.EDAX分析表明,PLCT薄膜的实际组分十分接近设计组分.利用PFM分析了PLCT薄膜的电畴结构,发现随着退火时间的增加,PLCT薄膜的电畴由细小圆点状逐渐增大并形成片状电畴.

参考文献

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