以硅粉为硅源,乙炔炭黑为碳源,通过微波加热的方法制备碳化硅.研究反应物密实度和反应物粒度对产物碳化硅粒度和形貌的影响,利用SEM和TEM等手段观察碳化硅的形貌.结果表明:采用自由堆积的乙炔炭黑和硅粉为反应物时,硅粉、碳粉表面存在的氧与其发生反应生成的SiO和CO,再通过气-气反应生成SiC晶须,生成产物包括SiC颗粒和晶须.当反应物加压后,生成的SiO与Si和C反应生成SiC颗粒,产物中只包括SiC颗粒.乙炔炭黑和硅粉反应过程中SiC通过扩散机制生成,碳颗粒的粒度决定了生成的SiC的粒度.
参考文献
| [1] | 张涛,王德仁,何业东.微波热处理制备硅化物涂层及其抗高温氧化性能[J].材料热处理学报,2011(12):125-131. |
| [2] | 赵海锋,朱丽慧,马学鸣.纳米WC硬质合金制备新工艺[J].材料科学与工程学报,2003(01):130-133. |
| [3] | 罗军明,魏峥,艾云龙,张剑平.微波烧结温度对WC钢结硬质合金组织性能的影响[J].材料热处理学报,2011(07):31-36. |
| [4] | 宋祖伟,戴长虹,翁长根,姚东风.碳化硅陶瓷粉体的制备技术[J].青岛化工学院学报(自然科学版),2001(02):135-138. |
| [5] | Jacob A. Johnson;Christine M. Hrenya;Alan W. Weimer .Intrinsic Reaction and Self-Diffusion Kinetics for Silicon Carbide Synthesis by Rapid Carbothermal Reduction[J].Journal of the American Ceramic Society,2002(9):2273-2280. |
| [6] | Lin Y J;Tsang C P .The effects of starting precursors on the carbothennal synthesis of SiC powders[J].Ceramics International,2003,29(01):69-75. |
| [7] | Martin H P;Ecke R;Muller E .Synthesis of nanocrystalline silicon carbide powder by carbothermal reduction[J].Journal of the European Ceramic Society,1998,18(12):1737-1742. |
| [8] | 郝斌,刘剑,刘进强,王福.微波烧结制备碳化硅的影响因素[J].材料热处理学报,2013(z1):17-21. |
| [9] | 郝斌,刘剑,刘进强,王福.微波烧结制备碳化硅晶须的影响因素[J].材料热处理学报,2013(08):1-5. |
| [10] | 卢斌,刘吉轩,朱华伟,焦羡贺.微波加热合成SiC纳米线的研究[J].无机材料学报,2007(06):1135-1138. |
| [11] | Knacke O;Kubaschewski O;Hesselmann K.Thermochemical Properties for Inorganic Substances[M].Berlin:Springer-Verlag,1991 |
| [12] | S. Larpkiattaworn;P. Ngernchuklin;W. Khongwong .The influence of reaction parameters on the free Si and C contents in the synthesis of nano-sized SiC[J].CERAMICS INTERNATIONAL,2006(8):899-904. |
| [13] | Yamada O;Hirao K;Koizumi M et al.Combustion synthesis of SiC in nitrogen atmosphere[J].Journal of the American Ceramic Society,1989,72(09):1735-1738. |
| [14] | 蔡海荣,陈大英,李江涛.化学激励燃烧合成SiC超细粉末的工艺和机理研究[J].硅酸盐学报,2002(03):393-397. |
| [15] | 蔡海荣,田士勇,李江涛,徐久军.化学激励燃烧合成Si3N4/SiC复合粉体的研究[J].硅酸盐学报,2003(03):316-319. |
| [16] | Narayan J;Raghunathan R;Chowdhury R et al.Mechanism of combustion synthesis of silicon carbide[J].Journal of Applied Physics,1994,75(11):7252-7257. |
上一张
下一张
上一张
下一张
计量
- 下载量()
- 访问量()
文章评分
- 您的评分：
-
10%
-
20%
-
30%
-
40%
-
50%