从SiBONC陶瓷粉体中生长β-SiC纳米线

稀有金属材料与工程, 2008, 37(3): 561-564.

从SiBONC陶瓷粉体中生长β-SiC纳米线

温广武 ^1, , 李峰 ^2, , 韩兆祥 ^3, , 白宏伟 ^4,

1.哈尔滨工业大学(威海),山东,威海,264209;哈尔滨工业大学,黑龙江,哈尔滨,150001

2.哈尔滨工业大学,黑龙江,哈尔滨,150001

3.哈尔滨工业大学,黑龙江,哈尔滨,150001

4.哈尔滨工业大学,黑龙江,哈尔滨,150001

基金项目: 国家自然科学基金(50472011)

关键词： SiC , 纳米线 , 气压烧结 , SiBONC陶瓷

Growth of β-SiC Nanowires from SiBONC Nano Powder Compacts

通过有机聚合物先驱体法使用四氯化硅(SiCl4)、苯甲醛(PhCHO)、烷基胺(RNH2)、三氯化硼(BCl3)为原料,通过有机-无机裂解转化制备了SiBONC陶瓷的纳米粉体.在对SiBONC陶瓷粉末坯体进行高温气压处理时,发现在坯体表面生长出大量β-SiC纳米线.通过XRD、FT-IR、SEM、TEM等分析测试手段分析了该纳米线的微观结构和物相组成,并初步推断了其生长机制.结果表明:该纳米线为结晶良好的β-SiC,其主要组成元素为Si、C及少量的O;其直径在20～200 nm之间,其平均长度在1 mm左右.

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