双栅无结晶体管的击穿性能研究

功能材料与器件学报 , 2015, 21(4): 46-50.

双栅无结晶体管的击穿性能研究

王超 ^1, , 李悦 ^2, , 郭羽涵 ^3, , 李曼 ^4, , 郭宇锋 ^5,

1.江苏省射频集成与微组装工程实验室,南京,210023;南京邮电大学电子科学与工程学院,南京,210023

2.江苏省射频集成与微组装工程实验室,南京,210023;南京邮电大学电子科学与工程学院,南京,210023

3.江苏省射频集成与微组装工程实验室,南京,210023;南京邮电大学电子科学与工程学院,南京,210023

4.江苏省射频集成与微组装工程实验室,南京,210023;南京邮电大学电子科学与工程学院,南京,210023

5.江苏省射频集成与微组装工程实验室,南京,210023;南京邮电大学电子科学与工程学院,南京,210023

基金项目: 教育部博士点基金(20133223110003)、江苏省自然科学基金(BK20130778)、江苏省工业支撑计划(BE2013130)、国家重点实验室基金(KFJJ201403).

关键词：双栅无结晶体管 , 击穿电压 , 电场分布

On Breakdown Characteristics of Double-gate Junctionless Transistors

Keywords： double-gate junctionless transistor , breakdown voltage , electric field distribution

本文利用二维仿真器Medici对双栅无结晶体管的击穿特性进行模拟仿真,通过分析发生击穿时的电场分布和碰撞电离率积分,并结合碰撞电离理论,证明了双栅无结晶体管的击穿机理仍然是雪崩击穿.进一步通过分析沟道长度、沟道杂质掺杂浓度、栅极电压等参数对击穿电压的影响,研究双栅无结晶体管的击穿特性.结果表明双栅无结晶体管的击穿电压随着沟道长度和沟道掺杂浓度的增加线性增大,相反地,双栅无结晶体管的击穿电压随栅极电压的增加而略微减小.

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