纳米复合薄膜特异电容机制探讨

稀有金属材料与工程, 2006, 35(11): 1681-1685.

纳米复合薄膜特异电容机制探讨

程开甲 ^1, , 程漱玉 ^2, , 林东升 ^3, , 肖刚 ^4,

1.西北核技术研究所,陕西,西安,710024

2.西北核技术研究所,陕西,西安,710024

3.西北核技术研究所,陕西,西安,710024

4.西北核技术研究所,陕西,西安,710024

关键词： TFDC电子理论 , 二极层 , 大电容 , 薄膜

Origin of the High Capacity of Self-Assemble Nano-Composite Thin Film

Keywords： TFDC electron theory , double layer , high capacity , thin film

TFDC(Thomas-Fermi-Dirac-Cheng)electron theory用于分析讨论了纳米复合薄膜二极层中电子的特性.根据TFDC电子理论研究和实验测试提出了纳米复合薄膜二极层特异电容产生的机制.

TFDC (Thomas-Fermi-Dirac-Cheng) electron theory is applied to analyzing the characteristics of the electrons inside the double layer of the nanometer composite thin films. This paper proposes the new mechanism about the high capacity in both theoretical analysis and experimental measurement.

参考文献

[1]	程开甲,程漱玉.论材料科学的理论基础[J].自然科学进展,1996(01):12.
[2]	程开甲,程漱玉.界面和间界面边界条件的重要作用[J].稀有金属材料与工程,1998(04):189-193.
[3]	程开甲,程漱玉.纳米晶硅和无定形硅混合物特性研究[J].自然科学进展,1996(06):693.

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