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应用电子显微技术, 研究了以纳米碳管为媒介生长的SiO2晶须的形貌及其结构特征, 这些晶须为六角结构的α-SiO2, 直径为数十纳米, 长度可达100μm以上, 生长方向一般为[11-20]方向, 且在棱面方向上存在互成120º的面缺陷.

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