BiNbO4掺杂对BaTiO3基陶瓷的改性效应研究

功能材料, 2008, 39(4): 641-644.

BiNbO4掺杂对BaTiO3基陶瓷的改性效应研究

杜旻 ^1, , 袁颖 ^2, , 张树人 ^3, , 杨林波 ^4, , 李言荣 ^5,

1.电子科技大学,电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川,成都,610054

2.电子科技大学,电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川,成都,610054

3.电子科技大学,电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川,成都,610054

4.电子科技大学,电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川,成都,610054

5.电子科技大学,电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川,成都,610054

关键词：钛酸钡 , 铌酸铋 , X8R , 多层陶瓷电容器

Investigation of the modulation effects of BiNbO4 doping on BaTiO3-based ceramics

对三元系统BaTiO3(BT)-Bi0.5Na0.5TiO3(BNT)-BiNbO4的微结构和介电性能进行了研究.1%(摩尔分数) BNT掺杂使BT的居里温度由127℃大幅提高到140℃.BiNbO4掺杂显著降低了高温端的电容温度变化率,相反低温端的电容温度变化率升高.掺杂3%～4%(摩尔分数)BiNbO4的BT陶瓷满足X8R特性.烧结温度过高时,居里峰明显被抑制,居里温度向低温移动,而低温介电峰向高温移动.SEM结果表明,1%(摩尔分数)BiNbO4掺杂时,陶瓷晶粒细小且尺寸均匀.BiNbO4含量增大,陶瓷内部出现异常生长的第二相晶粒,且第二相比例随BiNbO4含量增加而增大.XRD分析表明,基质晶粒为BaTiO3,第二相包括Ba2TiO4、NaBiTi2O6及BaTiNb4O13.

参考文献

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