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用X射线衍射和Raman光谱技术研究了KDP晶体165℃退火前后微观结构的变化.实验发现退火24h可以减小晶体生长过程中带来的晶格的畸变,提高了晶体的完整性,缩小晶体中键长和键角的变化范围,使晶体内应力得以部分释放.对于快速生长的晶体,退火的效果更加显著.

参考文献

[1] Campbell J H;Atherton L J;De Yoreo J J et al.Large-aperture, High-damage-threshold Optics for Beamlet, ICF Quarterly Report 5(1)[R].Lawrence Livermore National Laboratory, Livemore, CA, UCRL-LR-105821-95-1,1995.
[2] okotanl A;Sasaki T;Yoshida K et al.[J].Applied Physics Letters,1986,48:1030.
[3] Zaitseva N.;Smolsky I.;Torres R.;Yan M.;Carman L. .The effect of impurities and supersaturation on the rapid growth of KDP crystals[J].Journal of Crystal Growth,1999(4):512-524.
[4] 傅有君,高樟寿,刘嘉民.生长条件对KDP晶体激光损伤阈值的影响[J].强激光与粒子束,1998(01):118.
[5] 王圣来,付有君,孙洵,李义平,曾红,高樟寿.实时控制过饱和度降温法生长KDP晶体[J].无机材料学报,2001(01):37-44.
[6] Swain J;Stokowski S;Milam D et al.[J].Applied Physics Letters,1982,40(04):350.
[7] Swain J;Stokowski S;Milam D et al.[J].Applied Physics Letters,1982,41(01):12.
[8] Fujioka K.;Kanabe T.;Fujita H.;Nakatsuka M.;Matsuo S. .OPTICAL PROPERTIES OF RAPIDLY GROWN KDP CRYSTAL IMPROVED BY THERMAL CONDITIONING[J].Journal of Crystal Growth,1997(3):265-271.
[9] 王圣来 .KDP晶体过饱和度实时控制生长和改善晶体的均匀性[D].山东大学,2000.
[10] 许顺生;冯端.X射线衍射貌相学[M].北京:科学出版社,1987:168.
[11] Vries S A;Goedtkindt P;Huisman W J et al.[J].Journal of Crystal Growth,1999,205:202.
[12] Enckevort W J P;Janssen-Van Rosmalen R;Klapper H et al.[J].Journal of Crystal Growth,1982,60:67.
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