ECR-PECVD制备氮化硅薄膜的键态结构

功能材料, 2003, 34(1): 108-109.

ECR-PECVD制备氮化硅薄膜的键态结构

吴先球 ^1, , 陈俊芳 ^2, , 熊予莹 ^3, , 吴开华 ^4, , 任兆杏 ^5,

1.华南师范大学,物理系,广东,广州,510631

2.华南师范大学,物理系,广东,广州,510631

3.华南师范大学,物理系,广东,广州,510631

4.华南师范大学,物理系,广东,广州,510631

5.中国科学院等离子体物理研究所,安徽,合肥,230031

基金项目: 广东省教育厅千百十工程优秀人才培养基金(200005) 广东省科技攻关项目(2KM01401G) 广东省自然科学基金(000675,011466)

关键词：氮化硅 , 薄膜 , 键态结构 , ECR-PECVD

Bonding structure of plasma enhanced chemical vapor deposited silicon nitride thin films

用红外光谱和拉曼光谱分析了用低温电子回旋共振等离子体CVD技术制备的Si3N4薄膜的键态结构.结果表明Si3N4薄膜主要由Si-N键结构组成,还含有Si-H和Si-O-Si键结构.随着沉积温度的提高,Si3N4薄膜中的Si-H键减少,氢含量降低.可利用提高沉积温度来减少Si3N4薄膜中的氢含量.在沉积温度为420℃时Si3N4薄膜的Raman光谱在短波方向出现一新的展宽的拉曼散射峰.

参考文献

[1]	Iijima M.;Watanabe Y. .Ultrasonic joining of silicon nitride plates without an adhesive material using a 19 kHz vibration system[J].Japanese journal of applied physics,2001(5B):3789-3791.
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[4]	Fujiwara N;Maruyama T;Ogino S et al.[J].Japanese Journal of Applied Physics,1997,36(04):2502.
[5]	陈俊芳,吴先球,王德秋,丁振峰,任兆杏.Si3N4薄膜的表面微观特性[J].功能材料,2001(03):298-300.
[6]	Manabe Y;Mitsuyu T .[J].Journal of Applied Physics,1989,66
[7]	Wang Weixiang;Li Daohuo .[J].Applied Physics Letters,1993,62(03):321.
[8]	Chen Junfang;Ren Zhaoxing et al.[J].物理学报(海外版),1994,3(03):268.

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Bonding structure of plasma enhanced chemical vapor deposited silicon nitride thin films

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