采用改进的垂直布里奇曼生长法生长CdZnTe (CZT)单晶.生长完成后,选取了10～60 K/h不同速率降温处理.采用红外透射显微镜和多道能谱仪分别测试不同降温速率的晶片内部Te夹杂相分布和能谱响应.结果表明,10～30K/h之间的慢速降温会导致晶体内部出现较大尺寸的Te夹杂(＞10 μ.m),40 K/h以上的快速降温所得到的晶体内部主要以小尺寸＜10 μm)为主.同时快速降温会导致晶体内部的Te夹杂浓度大量增加,并且降温速率越快,Te夹杂浓度越大.此外,降温速率过慢所得到晶片的能谱分辨率较差,但是降温速率过快也会影响到晶片的性能.40 K/h的降温速率所得到的晶片能谱性能较好,实验结果表明:大尺寸或者高浓度的Te夹杂都不利于能谱响应,保留一定浓度的小尺寸Te夹杂的晶体能谱性能较佳.
参考文献
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