为了替代传统的SiO2栅介质,利用射频反应溅射法在Si衬底上制备了新型HfSiON薄膜.研究了HfSiON薄膜的成分、结构和介电性能.由XRD图谱可知,HfSiON薄膜经900℃高温退火处理后仍为非晶态,显示出良好的熟稳定性.MOS电容的高频C-V曲线测量显示,HfSiON薄膜具有较好的介电特性,其介电常数可达到18.9,电容等效氧化层厚度为4.5 nm.I-V测量结果表明,HfSiON薄膜的漏电流密度很低,在外加偏压(Vg)为±1.5 V处的漏电流密度分别为3.5×10-7A/cm2(+1.5 V)和1.5×10-6A/cm2(-1.5 V).研究表明,HfSiON薄膜将会是一种很有希望取代SiO2的新型高k栅介质材料.
参考文献
| [1] | Wilk GD.;Anthony JM.;Wallace RM. .High-kappa gate dielectrics: Current status and materials properties considerations [Review][J].Journal of Applied Physics,2001(10):5243-5275. |
| [2] | Houssa M;Pantisano L;Ragnarsson LA;Degraeve R;Schram T;Pourtois G;De Gendt S;Groeseneken G;Heyns MM .Electrical properties of high-kappa gate dielectrics: Challenges, current issues, and possible solutions[J].Materials Science & Engineering, R. Reports: A Review Journal,2006(4-6):37-85. |
| [3] | Takanori M;Makoto F;Rafael R M et al.[J].Surface and Coatings Technology,2003,169-170:528. |
| [4] | Byoung H L;Laegu K;Renee N et al.[J].Applied Physics Letters,2000,76:1926. |
| [5] | 程新红,宋朝瑞,俞跃辉.高性能HfAlO介质薄膜的制备[J].稀有金属材料与工程,2006(08):1192-1194. |
| [6] | 王韧,陈勇.Hf基高K栅介质材料研究进展[J].材料导报,2005(11):20-23. |
| [7] | 王东生,于涛,游彪,夏奕东,胡安,刘治国.高介电常数的栅极电介质LaAlO3薄膜的性能研究[J].无机材料学报,2003(01):229-232. |
| [8] | Hasegawa K;Ahmet P;Okazaki N et al.[J].Applied Surface Science,2004,223:229. |
| [9] | Visokay M R;Chambers J J;Rotondaro A L P et al.[J].Applied Physics Letters,2002,80:3183. |
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