铋过量对CaBi4Ti4O15铁电薄膜性能的影响

功能材料, 2007, 38(9): 1427-1430.

铋过量对CaBi4Ti4O15铁电薄膜性能的影响

范素华 ^1, , 徐静 ^2, , 王培吉 ^3, , 胡广达 ^4, , 张丰庆 ^5,

1.山东建筑大学,材料科学与工程学院,山东,济南,250101

2.济南大学,材料科学与工程学院,山东,济南,250022

3.济南大学,理学院,山东,济南,250022

4.济南大学,材料科学与工程学院,山东,济南,250022

5.山东建筑大学,材料科学与工程学院,山东,济南,250101

基金项目: 山东教育厅重点项目(03A02) 国家自然科学基金(60471042)

关键词：铁电薄膜 , 铁电性能 , 介电性能

Effect of different Bi contents on properties of CaBi4Ti4O15 ferroelectrics thin films

利用溶胶凝胶法制备CaBi4+xTi4O15(CBT-x)铁电薄膜,探索了不同铋含量对CBT-x铁电薄膜样品的相结构、微观形貌和电学性能的影响,研究表明,当x为0.3时,样品的剩余极化强度达到最大值,2Pr= 8.7μC/cm2,矫顽场强2Ec=7.6kV/mm,相对介电常数的大小在(160±6)%范围内,损耗因子在0.05～0.08之间,适量的铋含量可以较好地抑制过多的氧空位、焦虑石相和其它杂相的产生.

参考文献

[1]	Scott J F;Paz de Aroujo A A .[J].Science,1989,246:1400-1401.
[2]	Xie Dan;Pan Wei;Shi Hui .[J].Materials Science and Engineering,2003,B99:353-355.
[3]	Takeuchi T.;Saito Y.;Tani T. .Unidirectionally textured CaBi4Ti4O15 ceramics by the reactive templated grain growth with an extrusion[J].Japanese journal of applied physics,2000(9B):5577-5580.
[4]	Mercurio J P;Souirti A;Manier M et al.[J].Materials Research Bulletin,1992,27:123-125.
[5]	Oka H.;Tsukada T.;Watanabe Y.;Nomura T.;Hirose M. .Thickness-shear vibration mode characteristics of SrBi4Ti4O15-based ceramics[J].Japanese journal of applied physics,2000(9B):5613-5615.
[6]	Yan Haixue;Li Chengen;Zhou Jiaguang et al.[J].Applied Physics Letters,2001,40:6501-6505.
[7]	范素华,张丰庆,胡广达,岳雪涛,徐静,张伟.烧结温度对SBTi铁电陶瓷电性能的影响[J].人工晶体学报,2006(05):1036-1040.
[8]	Hu G D;Wilson I H;Xu J B et al.[J].Applied Physics Letters,1999,74:1221-1223.
[9]	黄平 .锶铋钛铁电陶瓷及薄膜的研究[D].天津大学,2005.
[10]	Shimakawa Y;Kubo Y;Nakagawa Y et al.[J].Applied Physics Letters,1999,74(13):1904-1906.
[11]	Park B H;Hyun S J;Bu S D et al.[J].Applied Physics Letters,1999,74(13):1907-1909.
[12]	Xingsen Gao;Zhaohui Zhou;Junmin Xue .Effects of Excess Bi_2O_3 on the Ferroelectric Behavior of Nd-Doped Bi_4Ti_3O_(12) Thin Films[J].Journal of the American Ceramic Society,2005(4):1037-1040.
[13]	Hu G D .[J].Journal of Applied Physics,2006,100:096,109.
[14]	黄平,徐廷献,孙清池.铋层状化合物Sr0.3Ba0.7Bi4-xLaxTi4O15陶瓷材料的介电性能[J].硅酸盐学报,2004(07):808-811.
[15]	侯云,王民,许效红,王弘,王栋,韩辉.金属有机分解法制备Bi3.25La0.75Ti3O12薄膜[J].压电与声光,2003(01):55-57.
[16]	Wu XM.;Wang H.;Wang Z.;Shang SX.;Wang M.;Wang SW. .Preparation and characterization of Bi2Ti2O7 thin films by chemical solution deposition technique[J].Thin Solid Films: An International Journal on the Science and Technology of Thin and Thick Films,2000(1/2):30-32.

上一张下一张

计量

下载量()
访问量()

作者相关

文章评分

您的评分：
1

0%
2

0%
3

0%
4

0%
5

0%

材料期刊网

铋过量对CaBi4Ti4O15铁电薄膜性能的影响

Effect of different Bi contents on properties of CaBi4Ti4O15 ferroelectrics thin films

参考文献