掺杂浓度对Al2O3:Ce3+薄膜发光性能的影响

功能材料, 2007, 38(6): 872-875.

掺杂浓度对Al2O3:Ce3+薄膜发光性能的影响

廖国进 ^1, , 巴德纯 ^2, , 闻立时 ^3, , 刘斯明 ^4, , 阎绍峰 ^5,

1.东北大学,机械工程与自动化学院,辽宁,沈阳,110004;辽宁工学院,机械工程与自动化学院,辽宁,锦州,121001

2.东北大学,机械工程与自动化学院,辽宁,沈阳,110004

3.中国科学院金属研究所表面工程部,辽宁,沈阳,110016

4.北京航空航天大学,机械工程与自动化学院,北京,100083

5.辽宁工学院,机械工程与自动化学院,辽宁,锦州,121001

基金项目: 国家自然科学基金(50376067)

关键词：三氧化二铝薄膜 , 磁控溅射 , 掺杂浓度 , 光致发光 , Ce

Effect of Ce3+ concentration on luminescent properties of Al2O3:Ce3+ films

应用中频反应磁控溅射技术在载玻片上制备掺铈的Al2O3薄膜,在固定的电源功率下,氩气流量为43ml/min,氧流量为10ml/min,室温下溅射时间为90min的条件下,通过控制薄膜中的Ce3+离子的掺杂量来改变薄膜的发光性能.通过X光能量散射谱(EDS)和光致发光测量,得到发光强度和发光峰位对薄膜中的Ce3+浓度有强烈的依赖关系,并且分析了产生这种关系的原因;对发光激发谱分析表明,薄膜发光是源于薄膜中形成的氯化铈集合体中的Ce3+.Al2O3:Ce3+发光膜可应用于需要蓝光发射的平板显示领域.

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