离子束沉积技术室温生长Si/Ge薄膜的晶化研究

功能材料, 2004, 35(z1): 881-883.

1.云南大学,材料科学与工程系,云南,昆明,650091

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Crystallized silicon films grown at room temperature by ion beam epitaxy using optimized germanium content

研究Si的室温晶化生长对微电子应用技术是十分重要的.本文采用离子束外延技术制备了一系列的Si/Ge多层膜结构,对样品进行X射线和拉曼散射实验表征.研究表明:Ge可诱导膜中Si薄层的室温晶化,当Ge厚度略小于Si薄层厚时,获得最佳的Si室温晶化效果.

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