衬底温度对PLD法制备ZnO薄膜结构及发光特性的影响

功能材料, 2008, 39(5): 724-729.

衬底温度对PLD法制备ZnO薄膜结构及发光特性的影响

赵杰 ^1, , 胡礼中 ^2, , 宫爱玲 ^3, , 刘维峰 ^4,

1.昆明理工大学,物理系,云南,昆明,650093;大连理工大学,三束材料改性国家重点实验室及物理系,辽宁,大连,116024

2.大连理工大学,三束材料改性国家重点实验室及物理系,辽宁,大连,116024

3.昆明理工大学,物理系,云南,昆明,650093

4.大连理工大学,三束材料改性国家重点实验室及物理系,辽宁,大连,116024

基金项目: 国家自然科学基金(60377005)

关键词： ZnO薄膜 , 反射式高能电子衍射 , X射线衍射 , 光致发光

Effects of substrate temperature on structural and luminescent properties of ZnO thin films prepared by pulsed laser deposition

在60Pa的高氧压气氛中,用脉冲激光沉积法以Si(111)为衬底在不同温度下制备了ZnO薄膜.RHEED和XRD结果表明,所有样品都是c轴高度择优取向的多晶ZnO薄膜.随衬底温度的升高,ZnO薄膜(002)衍射峰的半高宽不断减小,从0.227～0.185°.对(002)衍射峰的2θ值分析表明,650℃下生长的ZnO薄膜几乎处于无应力的状态,而在较低或较高温度下生长的薄膜中都存在着一定程度的c轴压应力.室温PL谱测试说明在650℃生长的ZnO薄膜具有最强的紫外发射峰和最窄的UV峰半高宽(83meV).在700℃得到的样品PL谱中,检测到一个位于3.25eV处的低能发射峰.经分析,该峰可能是来自于施主-受主对(DAP)的跃迁.

参考文献

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