欢迎登录材料期刊网

材料期刊网

高级检索

采用等离子体增强化学气相沉积法,以SiH4、NH3和N2为反应气源,通过改变射频功率制备富硅-氮化硅薄膜材料.利用傅里叶变换红外吸收光谱,紫外-可见光透射光谱,扫描电镜等对薄膜材料结构与性质进行表征.实验表明,随着射频功率的逐渐增加,薄膜光学带隙缓慢减小、有序度增加,薄膜材料中的Si-H键、N-H键缓慢减小,Si-N键增多.分析结果发现,适量的增加射频功率有利于提高样品反应速率,使薄膜有序度增加,致密性增强,提高薄膜质量,但过高的射频功率会使薄膜质量变差.

参考文献

[1] 王晓泉;汪雷;席珍强;徐进;崔灿;杨德仁.PECVD淀积氮化硅薄膜性质研究[J].太阳能学报,2004(3):341-344.
[2] 张顾万;龙飞.PECVD生长氮化硅介质膜的工艺研究[J].半导体光电,2001(3):201-203,217.
[3] J. Bernat;P. Javorka;A. Fox;M. Marso;H. Lueth;P. Kordos.Effect of surface passivation on performance of AlGaN/GaN/Si HEMTs[J].Solid-State Electronics,200311(11):2097-2103.
[4] 林娟;杨培志;化麒麟.富硅氮化硅薄膜的制备及其光学带隙研究[J].发光学报,2012(6):596-600.
[5] Tong Li;Jerzy Kanicki;Wei Kong.Interference fringe-free transmission spectroscopy of amorphous thin films[J].Journal of Applied Physics,200010(10):5764-5771.
[6] 陶涛;苏辉;谢自力;张荣;刘斌;修向前;李毅;韩平;施毅;郑有炓.PECVD法氮化硅薄膜生长工艺的研究[J].微纳电子技术,2010(5):267-272,303.
[7] 李新贝;张方辉;牟强.等离子增强型化学气相沉积条件对氮化硅薄膜性能的影响[J].材料保护,2006(7):12-16.
[8] 王明华 .富硅氮化硅和纳米硅多层量子阱硅基发光薄膜与器件[D].浙江大学材料与化学工程学院,2009.
[9] 于威;李彬;郭少刚;詹小舟;丁文革;傅广生.氢稀释对FTS沉积a-Si:H薄膜结构特性的影响[J].光子学报,2012(3):307-310.
[10] 于威;孟令海;耿春玲;丁文革;武树杰;刘洪飞;傅广生.a-SiN:H薄膜的对靶溅射沉积及微结构特性研究[J].科学通报,2010(18):1799-1804.
[11] 廖武刚;曾祥斌;国知;曹陈晨;马昆鹏;郑雅娟.包含硅量子点的富硅SiNx薄膜结构与发光特性*[J].物理学报,2013(12):126801-1-126801-6.
[12] Bengi F. Hanyaloglu;Eray S. Aydil.Low temperature plasma deposition of silicon nitride from silane and nitrogen plasmas[J].Journal of Vacuum Science & Technology, A. Vacuum, Surfaces, and Films,19985(5):2794-2803.
上一张 下一张
上一张 下一张
计量
  • 下载量()
  • 访问量()
文章评分
  • 您的评分:
  • 1
    0%
  • 2
    0%
  • 3
    0%
  • 4
    0%
  • 5
    0%