高质量N型SiC单晶生长及其器件应用

人工晶体学报, 2015, 44(6): 1427-1431.

高质量N型SiC单晶生长及其器件应用

杨祥龙 ^1, , 杨昆 ^2, , 陈秀芳 ^3, , 彭燕 ^4, , 胡小波 ^5, , 徐现刚 ^6, , 李赟 ^7, , 赵志飞 ^8,

1.山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100

2.山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100

3.山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100

4.山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100

5.山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100

6.山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100

7.中国电子科技集团公司第五十五研究所,南京,210000

8.中国电子科技集团公司第五十五研究所,南京,210000

基金项目: 国家自然科学基金(51323002) 国家高技术研究发展计划(863)(2015AA031001)

关键词：碳化硅 , 物理气相传输 , 外延 , 肖特基二极管

Growth and Device Application of High Quality N-type SiC Single Crystals

Keywords： SiC , physical vapor transport , epitaxy , schottky diode

采用物理气相传输法在(0001)面偏向<11-20>方向4°的籽晶上生长了掺氮低电阻率碳化硅(SiC)单晶.结合碳化硅邻位面生长机制,通过优化温场设计,在近平温场下生长出了晶型稳定、微管密度低、高结晶质量的低电阻率4H-SiC单晶.在加工的“epi-ready”SiC衬底上进行了同质外延,获得了光滑的外延层表面.利用该外延材料研制了600V/10 A SiC肖特基二极管,器件的直流性能与进口衬底结果相当,反向漏电成品率高达67％.另外研制了600 V/50 A SiC肖特基二极管,器件的直流性能也达到了进口衬底水平.

参考文献

[1]	Dallas T. Morisette;James A. Cooper;Michael R. Melloch;Gary M. Dolny;Preveen M. Shenoy;M. Zafrani;Jon Gladish .Static and dynamic characterization of large-area high-current-density SiC Schottky diodes[J].IEEE Transactions on Electron Devices,2001(2):349-352.
[2]	Kimoto T.;Matsunami H.;Okano T.;Itoh A. .STEP BUNCHING MECHANISM IN CHEMICAL VAPOR DEPOSITION OF 6H- AND 4H-SIC(0001)[J].Journal of Applied Physics,1997(8 Pt.1):3494-3500.

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