选择SiO2作为烧结助剂,NbO5作为施主掺杂,MnCO3作为受主掺杂,采用真空一次烧结工艺在1200C制备出性能优良的压敏-电容复合功能陶瓷元件,样品的电阻率ρ>105Ω·cm,压敏电压V1mA<50V,非线性系数α接近10,介电常数ε>104,介电损耗tanδ可以控制在10%以下,漏电流可以控制在50μA以下.
参考文献
[1] | 沈辉,潘晓明,宋元伟,奚益明,王评初.低温一次烧结高介电常数晶界层电容器材料[J].无机材料学报,2002(03):613-616. |
[2] | 王宁章,马玉田.真空烧结对SrTiO3功能陶瓷性能的影响[J].材料导报,2010(10):7-9. |
[3] | 李翠霞,张新磊,顾玉芬.Nb2O5、La2O3掺杂对SrTiO3双功能陶瓷半导化及显微结构的影响[J].稀土,2006(05):29-32. |
[4] | 许毓春;李慧峰;王士良 .Effect of SiO2 on electrical properties of titania caristor ceramics(SiO2对TiO2系压敏陶瓷电性能的影响)[J].压电与声光,1994,16(05):41. |
[5] | 刘冠芳,周芳,施杰,李晋.钛酸锶陶瓷烧结的研究进展[J].绝缘材料,2009(03):23-26. |
[6] | Fujimoto M .Microsture and electrical properties of sodiumdiffused and potassium-diffused SrTiO3 barrier-layer capacitor-exhibiting varistor behaver[J].Journal of the American Ceramic Society,1985,68(11):300. |
[7] | Nakano .Characterization interface states in (Sr,Ca)TiC3-x based ceramic by ICTS analysis[J].Journal of Materials Research,1991,6(06):1346. |
[8] | Zhou Liqin;Yu Chankui .Sintering and properties of low-firing non-obmic SrTiO3 ceramics[J].Journal of Materials Science,1994,29(22):6055. |
[9] | 莫以豪.半导体陶瓷及其敏感元件[M].上海:上海科学技术出版社,1983:154. |
上一张
下一张
上一张
下一张
计量
- 下载量()
- 访问量()
文章评分
- 您的评分:
-
10%
-
20%
-
30%
-
40%
-
50%