欢迎登录材料期刊网

材料期刊网

高级检索

用金属有机物分解(MOD)以及sol-gel方法制备了SrBi2Ta2O9(SBT)铁电薄膜.经测量在750℃晶化的SBT薄膜具有很好的铁电性能.通过对SBT样品极化反转过程进行测试,得到了外加电压(0.5~5V)与SBT薄膜的开关时间(100~600ns)及极化反转电荷的关系.并研究了不同气氛下退火对SBT铁电薄膜开关特性的影响.

参考文献

[1] Auciello O;Scott J F;Ramesh R.[J].Physics Today,1998:22.
[2] Al-Shareef H N;Dimos D;Boyle T J et al.[J].Applied Physics Letters,1996,68:690.
[3] Scott JF;AraujoC AP .[J].Science,1989,246:1400.
[4] Zhang ZG.;Wang YN.;Zhu JS.;Yan F.;Chen XB.;Shen HM.;Liu JS. .Fatigue characteristics of SrBi2Ta2O9 thin films prepared by metalorganic decomposition[J].Applied physics letters,1998(6):788-790.
[5] HASET;Shiosaki T .[J].Japanese Journal of Applied Physics,1991,30:2159.
[6] Scott J F;Kammerdiner L;Parris M et al.[J].Journal of Applied Physics,1988,64:787.
[7] Larsen P K;Kampschoer G I M;Ulenaers M J E et al.[J].Applied Physics Letters,1991,59:611.
[8] Ishibashi Y;Takagi Y .[J].Journal of the Physical Society of Japan,1971,31:506.
[9] Shur V Ya;Rumyantsev E;Makrov S .[J].Journal of Applied Physics,1998,81:445.
[10] Dat R;Lee J K;Auciello O et al.[J].Applied Physics Letters,1995,67:572.
[11] Li T K;Zhu Y F;Desu S B et al.[J].Applied Physics Letters,1996,68:616.
[12] SongTK;LeeJ K;Sung HJ .[J].Applied Physics Letters,1996,69:3839.
[13] Warren W L;DimosD;WaserRM .[J].MRS Bulletin,1996,21:40.
上一张 下一张
上一张 下一张
计量
  • 下载量()
  • 访问量()
文章评分
  • 您的评分:
  • 1
    0%
  • 2
    0%
  • 3
    0%
  • 4
    0%
  • 5
    0%