保持温度对偏轴磁控溅射法制备BiFeO3薄膜结构和性能的影响

人工晶体学报, 2013, 42(2): 246-250.

保持温度对偏轴磁控溅射法制备BiFeO3薄膜结构和性能的影响

郝彦磊 ^1, , 刘保亭 ^2, , 彭增伟 ^3, , 贾冬梅 ^4, , 朱慧娟 ^5, , 张宪贵 ^6,

1.河北大学物理科学与技术学院,保定071002

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6.河北大学物理科学与技术学院,保定071002

基金项目: 国家自然科学基金(11074063) 河北省应用基础研究计划重点项目(10963525D) 高等学校博士点基金(20091301110002)

关键词：偏轴磁控溅射 , 保持温度 , XRD , BiFeO3

Effect of Retained Temperature on the Structure and Property of BiFeO3 Thin Film Prepared by Off-axis Magnetron Sputtering Method

本文采用偏轴磁控溅射方法在Pt/TiO2/SiO2/Si(111)基片上制备了多晶BiFeO3 (BFO)薄膜,并构架了Pt/BFO/Pt异质结电容器.利用X射线衍射(XRD)、铁电测试仪等手段研究了保持温度对BFO薄膜结构和性能的影响.XRD图谱表明制备的BFO薄膜均为多晶结构,在保持温度400℃±2℃的区间内得到的BFO薄膜不含明显杂相,其它的温度均有明显的杂相.在保持温度为400℃时得到了较为饱和的电滞回线,在900nm厚度的情况下,剩余极化强度仍可以达到Pr＞ 40 μC/cm2,达到了实际应用的要求Pr＞10μC/cm2.漏电流拟合机制表明在低场下属于欧姆机制,在高场下比较接近空间电荷限制电流(SCLC)机制.

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