研究了粗碳化硅(SiC)颗粒的加入对再结晶碳化硅陶瓷(R-SiC)抗热震性能的影响;通过不同温度下热震(水淬试验)后测试不同配方陶瓷的残余强度来评价其抗热震性能,并测试了RSiC陶瓷在30～1 200℃的平均线膨胀系数,通过SEM分析了材料的显微结构及热震损伤机制.结果表明:随着粗SiC颗粒(250μm)含量的提高,R-SiC陶瓷的密度、临界热震温差均先升后降;含有50%250 μm SiC颗粒陶瓷的密度最大,为2.60 g·cm-3,线膨胀系数最小,为4.60×10-6/℃,抗热震性能最好,其临界热震温差达395℃;250μm SiC颗粒的引入使得R-SiC在热震过程中产生大量的微裂纹,能够迅速吸收存储在材料中的弹性应变能,从而提高其抗热震性能.
参考文献
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