离子注入制备GaAs:Mn薄膜的性质研究

功能材料, 2004, 35(z1): 1308-1310.

离子注入制备GaAs:Mn薄膜的性质研究

宋书林 ^1, , 陈诺夫 ^2, , 尹志岗 ^3, , 柴春林 ^4, , 杨少延 ^5, , 刘志凯 ^6,

1.中国科学院半导体所,半导体材料科学重点实验室,北京,100083

2.中国科学院半导体所,半导体材料科学重点实验室,北京,100083;中国科学院力学研究所,国家微重力实验室,北京,100080

3.中国科学院半导体所,半导体材料科学重点实验室,北京,100083

4.中国科学院半导体所,半导体材料科学重点实验室,北京,100083

5.中国科学院半导体所,半导体材料科学重点实验室,北京,100083

6.中国科学院半导体所,半导体材料科学重点实验室,北京,100083

基金项目: 国家重点基础研究发展计划(973计划)(G20000365和G2002CB311905) 国家自然科学基金(60176001)

关键词：半绝缘性砷化镓 , 磁性半导体 , 铁磁性转变温度

Study on GaAs:Mn film fabricated by ion-implantation

采用高能离子注入的方式,在半绝缘性的GaAs衬底中掺杂引入Mn离子制备了磁性半导体.借助于X-射线衍射仪(XRD)进行了结构分析,没有发现新的衍射峰,并运用高分辨率X射线衍射仪(HR-XRD)分析了Mn离子注入后衬底(004)峰的微小变化.根据原子力显微镜的结果发现,注入后的样品表面没有发生明显的变化.通过使用超导量子干涉仪SQUID进行变温分析,在所分析范围内M-T曲线存在拐点,但其所对应的铁磁性转变温度低于室温.

参考文献

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