Al浓度对AZO薄膜结构和光电性能的影响

功能材料, 2007, 38(1): 91-96.

Al浓度对AZO薄膜结构和光电性能的影响

李金丽 ^1, , 邓宏 ^2, , 刘财坤 ^3, , 袁庆亮 ^4, , 韦敏 ^5,

1.电子科技大学,微电子与固体电子学院,四川,成都,610054

2.电子科技大学,微电子与固体电子学院,四川,成都,610054

3.电子科技大学,微电子与固体电子学院,四川,成都,610054

4.电子科技大学,微电子与固体电子学院,四川,成都,610054

5.电子科技大学,微电子与固体电子学院,四川,成都,610054

基金项目: 国家预研基金(ZJ0508) 国家自然科学基金(60390073) 四川省应用项目(JY0290681)

关键词： AZO薄膜 , X射线衍射 , AFM , 电阻率

Influence of Al concentration on the structural, optical and electrical properties of AZO thin films

采用射频溅射方法在Si基片上制备出AZO掺杂薄膜,对薄膜进行了XRD和AFM分析,并对其电性能作了研究.结果表明,掺杂量低于15%(原子分数)时,AZO薄膜结构为纤锌矿结构,呈c轴方向择优生长,没有Al2O3相出现.薄膜的可见光透过率均在80%以上,其最高电阻率出现在掺杂量为30%(原子分数),为1.3×107 Ω·cm.

参考文献

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