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用射频磁控溅射法制备了锗/氧化硅纳米多层膜,在室温下测量了Au/锗/氧化硅纳米多层膜/pSi结构的电致发光.利用位形坐标模型分析了锗/氧化硅纳米多层膜的发光中心,并用量子限制-发光中心模型对该纳米结构的电致发光过程作了研究,研究表明锗/氧化硅纳米多层膜的电致发光主要来自SiO2层的发光中心.

参考文献

[1] Bian L F;Zhang C G;Chen W D et al.[J].Journal of Applied Physics,2006,99:094302-1-094302-5.
[2] Hanaizumi O;Ono K;Ogawa Y et al.[J].Applied Physics Letters,2004,84(19):3843-3845.
[3] Zheng Tianhang;Li Ziquan .[J].Superlattices and Microstructures,2005,37:227-247.
[4] Giri PK;Kesavamoorthy R;Panigrahi BK;Nair KGM .Evidence for fast decay dynamics of the photoluminescence from Ge nanocrystals embedded in SiO2[J].Solid State Communications,2005(4):229-234.
[5] Dimaria D J;Kirtley J R;Pakulis E J et al.[J].Journal of Applied Physics,1984,56:401-415.
[6] Lu Z H;Lockwood D J;Baribeau J M .[J].Nature,1995,378:258-260.
[7] Qin GG.;Ma ZC.;Zong WH.;You LP.;Ma SY. .Electroluminescence from amorphous Si/SiO2 superlattices[J].Solid State Communications,1998(6):329-333.
[8] Qin GG.;Zhang BR.;Li BC.;Li AP. .VISIBLE ELECTROLUMINESCENCE FROM SEMITRANSPARENT AU FILM EXTRA THIN SI-RICH SILICON OXIDE FILM P-SI STRUCTURE[J].Journal of Applied Physics,1995(3):2006-2009.
[9] 方容川.固体光谱学[M].合肥:中国科学技术大学出版社,2001
[10] Skuja L N;Silin A R .[J].Physiea Status Solidi,1979,A56(K11):459-501.
[11] Hosono H.;Kajihara K.;Suzuki T.;Ikuta Y.;Skuja L.;Hirano M. .Vacuum ultraviolet optical absorption band of non-bridging oxygen hole centers in SiO2 glass[J].Solid State Communications,2002(3/4):117-120.
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