图案化厚膜多孔硅制备与表征

功能材料, 2008, 39(4): 586-589.

图案化厚膜多孔硅制备与表征

黎学明 ^1, , 江梅 ^2, , 杨文静 ^3, , 郁卫飞 ^4, , 黄辉 ^5,

1.重庆大学,化学化工学院,重庆,400030

2.重庆大学,化学化工学院,重庆,400030

3.重庆大学,化学化工学院,重庆,400030

4.中国工程物理研究院,化工材料研究所,四川,绵阳,621900

5.中国工程物理研究院,化工材料研究所,四川,绵阳,621900

基金项目: 国家自然科学基金(10476035)

关键词：图案化多孔硅 , 纳米结构材料 , 光致发光

Preparation and characterization of thick patterned porous silicon layers

图案化多孔硅是微电子、微机械、光电子器件的重要组成部分.实验以含Si3N4保护层的光刻单晶硅片为基底,采用电化学阳极氧化法制备图案化厚膜多孔硅,分析阳极氧化前后Si3N4保护层表面形貌变化特征和光刻尺寸对图案化多孔硅宽度、膜层厚度的影响规律,表征图案化多孔硅的结构、组成与发光性能.结果表明,氧化前Si3N4保护层局部区域出现枝晶,阳极氧化后形成不均匀孔状结构;制备的图案化多孔硅膜厚62～83μm,其横向扩展程度和膜层厚度均随光刻尺寸增大呈减小趋势;图案化多孔硅微结构含大量不规则裂纹和硅柱,新鲜制备的表面含Si-Hx键,其光致发光峰值波长650nm.

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