欢迎登录材料期刊网

材料期刊网

高级检索

通过真空蒸发将PTCDA淀积在p-Si(100)面.采用Raman光谱,AFM分别研究了衬底温度对于PTCDA分子结构和表面形貌的影响,进而完善了p-Si基PTCDA薄膜的生长机制.

参考文献

[1] Krause B;Durr A C;Ritley K et al.[J].Physical Review B:Condensed Matter,2002,66:235404-235414.
[2] Schmitzhubsch T.;Sellam F.;Staub R.;Leo K.;Fritz T. .EPITAXIAL GROWTH OF 3,4,9,10-PERYLENE-TETRACARBOXYLIC-DIANHYDRIDE ON AU(111) - A STM AND RHEED STUDY[J].Physical Review.B.Condensed Matter,1997(12):7972-7976.
[3] ZHANG Fujia;SHAO Jiafeng;ZHANG Dejiang et al.[J].Journal of Luminescence,1999,20(04):351-357.
[4] Salvan G;Tenne D A;Das A et al.[J].ORGANIC ELECTRONICS,2000,1:49-56.
[5] 宋珍,刘凤敏,欧谷平,甘润今,张福甲.p-Si基PTCDA生长模式的AFM和XPS研究[J].功能材料,2005(07):1041-1044.
[6] Soubiron T;Vaurette F;Nys JP;Grandidier B;Wallart X;Stievenard D .Molecular interactions of PTCDA on Si(100)[J].Surface Science: A Journal Devoted to the Physics and Chemistry of Interfaces,2005(2/3):178-188.
[7] 张福甲,邵佳锋,张德江,奇莉,甘润今.有机半导体PTCDA的制备及其结构表征和光吸收特性研究[J].发光学报,1999(04):351-357.
上一张 下一张
上一张 下一张
计量
  • 下载量()
  • 访问量()
文章评分
  • 您的评分:
  • 1
    0%
  • 2
    0%
  • 3
    0%
  • 4
    0%
  • 5
    0%