研究了HgInTe的腐蚀工艺,探索出一种适合于HgInTe的腐蚀液,并对腐蚀原理做了分析.利用该腐蚀液对HgInTe晶体内部的缺陷种类和分布进行了研究.结果表明,垂直轴向切割的HgInTe晶片腐蚀后的位错蚀坑呈近等腰三角形.在本实验条件下,位错蚀坑密度EPD(etch-pit density)约在105/cm2数量级.HgInTe晶体中的位错墙主要以边重叠和角重叠两种方式排列而成.HgInTe中存在少量由内应力引起的微裂纹.该腐蚀液能有效地显示HgInTe晶体不同晶面的多种缺陷,腐蚀效果较好.
参考文献
| [1] | Wang LH;Jie WQ .Single-crystal growth of mercury indium telluride (MIT) by vertical Bridgman method (VB)[J].Journal of Crystal Growth,2006(1):203-206. |
| [2] | Nabarro F R N.Dislocation in Solids[M].Amsterdan:North-Holland,1980 |
| [3] | 李宇杰,刘晓华,介万奇.红外半导体材料HgMnTe的缺陷腐蚀[J].半导体学报,1999(09):765. |
| [4] | Chen J S .Etchant for Revealing Dislocation in Ⅱ-Ⅵ Compounds[P].US 4897152,1990. |
| [5] | 杨武;顾睿样;黎樵燊;肖京先.金属的局部腐蚀[M].北京:化学工业出版社,1995 |
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