钨丝掺杂对碳化硅放电等离子烧结工艺曲线的影响研究

硅酸盐通报 , 2014, 33(12): 3196-3199.

1.河北联合大学机械工程学院,唐山063009

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6.河南工程学院机械工程学院,郑州451191

Influence Research on Sintering Process Curve of SiC Doped W by SPS

采用放电等离子烧结技术分别制备了SiC和钨丝掺杂SiC材料,记录了两种材料烧结工艺曲线,利用XRD方法测定了制备材料的成分.分析工艺曲线结果表明:烧结过程可分为4个阶段,其中SiC-W烧结第二阶段温度明显低于SiC烧结温度,且位移量小于SiC.

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