低温GaN插入层对AlGaN/GaN二维电子气特性的改善

人工晶体学报, 2013, 42(7): 1406-1409.

低温GaN插入层对AlGaN/GaN二维电子气特性的改善

张东国 ^1, , 李忠辉 ^2, , 彭大青 ^3, , 董逊 ^4, , 李亮 ^5, , 倪金玉 ^6,

1.南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室,南京210016

2.南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室,南京210016

3.南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室,南京210016

4.南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室,南京210016

5.南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室,南京210016

6.南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室,南京210016

关键词： MOCVD , 缓冲层 , AlGaN/GaN , 二维电子气

Improvement of Low Tmperature GaN Interlayer on the Property of the Two-dimensional Electron Gas in AlGaN/GaN Heterostructure

ZHANG Dong-guo ^1, , LI Zhong-hui ^2, , PENG Da-qing ^3, , DONG Xun ^4, , LI Liang ^5, , NI Jin-yu ^6,

1.南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室,南京210016

2.南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室,南京210016

3.南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室,南京210016

4.南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室,南京210016

5.南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室,南京210016

6.南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室,南京210016

Keywords： MOCVD , buffer layer , AlGaN/GaN , 2DEG

利用低压MOCVD技术在蓝宝石衬底上生长了AlGaN/GaN二维电子气(2DEG)材料,在GaN生长中插入一层低温GaN,并研究了低温GaN插入层对二维电子气输运特性的影响.使用原子力显微镜(AFM)和非接触霍尔测试仪测量了材料的表面形貌和电学特性,发现低温GaN插入层可以改善材料表面平整度并使AlGaN/GaN 2DEG的电子迁移率有明显提高,GaN插入层温度为860℃的样品在室温下2DEG的电子迁移率达到2110 cm2/V·s.

参考文献

[1]	Shuji Nakamura .The Roles of Structural Imperfections in InGaN-Based Blue Light-Emitting Diodes and Laser Diodes[J].Science,1998(5379):956-961.
[2]	Philip G. Neudeck;Robert S. Okojie;Liang-Yu Chen .High-temperature electronics - a role for wide bandgap semiconductors[J].Proceedings of the IEEE,2002(6):1065-1076.
[3]	Terry Ericsen .Future navy application of wide bandgap power semiconductor devices[J].Proceedings of the IEEE,2002(6):1077-1082.
[4]	郜小勇,赵剑涛,刘绪伟.蓝宝石衬底上GaN薄膜的结构和光学特性表征[J].人工晶体学报,2006(05):1071-1074.
[5]	Xing H.;Wu YF.;McCarthy L.;Smorchkova IP.;Buttari D. Coffie R.;Green DS.;Parish G.;Heikman S.;Shen L.;Zhang N.;Xu JJ. Keller BP.;DenBaars SP.;Mishra UK.;Keller S. .Gallium nitride based transistors[J].Journal of Physics. Condensed Matter,2001(32):7139-7157.

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