磷锗锌单晶体的腐蚀研究

人工晶体学报, 2010, 39(2): 304-307.

磷锗锌单晶体的腐蚀研究

张羽 ^1, , 赵北君 ^2, , 朱世富 ^3, , 陈宝军 ^4, , 何知宇 ^5, , 孙永强 ^6, , 程江 ^7, , 梁栋程 ^8,

1.四川大学材料科学系,成都,610064

2.四川大学材料科学系,成都,610064

3.四川大学材料科学系,成都,610064

4.四川大学材料科学系,成都,610064

5.四川大学材料科学系,成都,610064

6.四川大学材料科学系,成都,610064

7.四川大学材料科学系,成都,610064

8.四川大学材料科学系,成都,610064

基金项目: 国家高技术研究发展计划(863计划)(2007AA03Z443) 国家自然科学基金(50672061;50732005)

关键词： ZnGeP2晶体 , 化学腐蚀 , 蚀坑形貌

Study on Etching of ZnGeP2 Single Crystals

报道了一种新的ZnGeP2晶体择优腐蚀剂及其腐蚀工艺,即先采用研磨、物理机械抛光和HCl+HNO3热化学抛光获得表面平整无划痕的ZnGeP2晶片,然后将晶片在室温下采用HF(40%):HNO3(65%):CH3COOH(99.5%):H2O:I2=2 mL:2 mL:1 mL:1 mL:4 mg腐蚀剂超声振荡腐蚀8 min;在扫描电镜下观察到ZGP(110)和(204)晶面的腐蚀坑,蚀坑形貌清晰,具有立体感,(110)晶面蚀坑呈四边形,(204)晶面蚀坑呈五边形,取向一致,蚀坑密度(EPD)约为104/cm2.从理论上对蚀坑形貌的形成机理进行了分析.

参考文献

[1]	杨慧光,朱世富,赵北君,赵欣,何知宇,陈宝军,孙永强.两温区气相输运和机械振荡合成ZnGeP2多晶材料[J].人工晶体学报,2008(03):557-560.
[2]	Yuri A;Pavel G;Elena K .ZnGeP2 Crystal:Applications for Visualization or IR Signals[J].Proceedings of Spie,2004,5397:173-180.
[3]	S. Haidar;K. Miyamoto;H. Ito .Generation of tunable mid-IR (5.5-9.3 μm) from a 2-μm pumped ZnGeP_(2) optical parametric oscillator[J].Optics Communications: A Journal Devoted to the Rapid Publication of Short Contributions in the Field of Optics and Interaction of Light with Matter,2004(1/3):173-178.
[4]	苏旭,刘涛,张刚,陈兴国,秦金贵,陈创天.中红外波段二阶非线性光学晶体材料研究进展[J].无机化学学报,2006(07):1163-1169.
[5]	Dhar S;Nag B R .Etching Solution for the Determination of the Crystallographic Axes of ZnGeP2[J].Journal of Crystal Growth,1978,43:120-122.
[6]	李宇杰,刘晓华,介万奇.红外半导体材料HgMnTe的缺陷腐蚀[J].半导体学报,1999(09):765.

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