非晶Si-B-C-N陶瓷的电学特性研究

稀有金属材料与工程, 2005, 34(z2): 948-951.

非晶Si-B-C-N陶瓷的电学特性研究

王岩松 ^1, , 张立功 ^2, , 徐世峰 ^3, , 苗元华 ^4, , 范翊 ^5, , 王文全 ^6, , 安立楠 ^7,

1.中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室,吉林,长春,130033;吉林大学,吉林,长春,130021

2.中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室,吉林,长春,130033

3.中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室,吉林,长春,130033;吉林大学,吉林,长春,130021

4.中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室,吉林,长春,130033;吉林大学,吉林,长春,130021

5.中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室,吉林,长春,130033

6.吉林大学,吉林,长春,130021

7.中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室,吉林,长春,130033

基金项目: 中国科学院"百人计划"

关键词：热裂解 , 非晶陶瓷 , 直流电导率 , 退火

Electrical Conductivity of Amorphous Si-B-C-N Precursor-Derived Ceramics

采用高温热裂解法制备出Si-B-C-N陶瓷样品,在1100℃和1400℃退火5h后XRD结果显示两个样品均保持非晶状态.采用电流-电压直流测试方法,确定了样品在室温至1100℃温度范围内的直流电导率,材料的电导率在整个温度范围内均随着温度的升高而增大,呈现出非晶半导体的特性.退火温度升高导致电导率显著增大,这与高温退火过程中H的失去有关.

参考文献

[1]	Cai Y et al.[J].Scripta Materialia,2002,47:7.
[2]	Zimmermann A et al.[J].Acta Materialia,2002,50:1187.
[3]	Cai Y et al.[J].Scripta Materialia,2001,45:1301.
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[5]	Muller A et al.[J].Journal of the European Ceramic Society,2001,21:2171.
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[9]	Haluschka C et al.[J].Journal of the European Ceramic Society,2000,20(09):1355.

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