泡生法生长蓝宝石晶体中的气泡分布

人工晶体学报, 2014, 43(6): 1332-1335.

1.山东大学晶体材料国家重点实验室,济南250100;山东天岳晶体材料有限公司,济南250111

2.山东天岳晶体材料有限公司,济南250111

3.山东天岳晶体材料有限公司,济南250111

4.山东天岳晶体材料有限公司,济南250111

5.山东大学晶体材料国家重点实验室,济南250100

6.山东大学晶体材料国家重点实验室,济南250100

Bubbles Distribution in Sapphire Crystal Grown by Kyropoulos Method

气泡是蓝宝石晶体中的主要缺陷之一.本文中研究了采用泡生法生长蓝宝石晶体中气泡的俘获机理以及在晶体中的分布情况.研究结果表明气泡的分布与温场的结构相关,气泡产生的直接原因是结晶前沿较快的晶体生长速度.晶体中的气泡可以通过对生长速率的适当调整予以消除.

[1]	黄存新,李建保,雷牧云,杜洪兵.中波红外光学材料的研究现状和发展趋势[J].人工晶体学报,2003(03):276-281.
[2]	杨培志,刘黎明,张小文,莫镜辉.长波红外光学材料的研究进展[J].无机材料学报,2008(04):641-646.
[3]	Characteristic enhancement of the blue LED chip by the growth and fabrication on patterned sapphire (0001) substrate[J].Journal of Crystal Growth,2010(2):258.
[4]	邵伟,杨军良.泡生法生长大尺寸蓝宝石单晶的等径控制方法[J].人工晶体学报,2012(01):253-257.
[5]	Xu JW.;Zhou GQ.;Xu K.;Deng PZ.;Xu J.;Zhou YZ. .Growth of large-sized sapphire boules by temperature gradient technique (TGT)[J].Journal of Crystal Growth,1998(1/2):123-126.
[6]	S.E. Demina;E.N. Bystrova;M.A. Lukanina;V.M. Mamedov;V.S. Yuferev;E.V. Eskov;M.V. Nikolenko;V.S. Postolov;V.V. Kalaev .Numerical analysis of sapphire crystal growth by the Kyropoulos technique[J].Optical materials,2007(1):62-65.
[7]	蔡迅,黎建明,刘春雷,李楠.改进热交换法生长蓝宝石晶体的气泡研究[J].人工晶体学报,2012(01):42-46.
[8]	Bunoiu OM;Nicoara I;Santailler JL;Theodore F;Duffar T .On the void distribution and size in shaped sapphire crystals[J].Crystal Research and Technology: Journal of Experimental and Industrial Crystallography,2005(9):852-859.
[9]	Bunoiu, OM;Duffar, T;Nicoara, I .Gas bubbles in shaped sapphire[J].Progress in Crystal Growth and Characterization of Materials,2010(3/4):123-145.

上一张下一张

计量

作者相关

文章评分