观察和分析了３００μｍ×４０μｍ×４０ｎｍ的ＮｉＦｅ磁性薄膜元件在难轴方向反磁化时磁畴结构转变特别是Ｎｅｅｌ畴壁从正极性壁（Ｎ＋）转变为负极性壁（Ｎ－）的全过程. 磁畴结构的转变包含畴壁合并，封闭畴转变，钩形畴转变及Ｎｅｅｌ畴壁极性转变等变的可逆因素，对畴壁极性转变的身份种方式（即Ｎ＋→Ｎ－直接转变及经由十字壁（Ｎｅｔ）ｒ Ｎ＋－→Ｎ－间接转变）进行了分析讨论.
参考文献
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