多晶碳化硅的氧化技术研究

功能材料, 2000, 31(2): 142-152.

1.西安电子科技大学微电子所,陕西西安710071

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基金项目: 中国科学院资助项目

Research on the Oxidation Technology of Polycrystalline SiC

本文研究了1050～1250℃温度下干氧和湿氧中多晶sic/si材料的氧化规律,讨论了氧化层厚度与时间、温度、气氛的关系,用Auger电子能谱仪对薄膜成分进行了分析.

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