压力对CoSb2.750TexGe0.250-xn型方钴矿化合物的电输运性能的影响

功能材料, 2010, 41(9): 1658-1663.

压力对CoSb2.750TexGe0.250-xn型方钴矿化合物的电输运性能的影响

姜一平 ^1, , 贾晓鹏 ^2, , 马红安 ^3, , 邓乐 ^4, , 郑世钊 ^5,

1.吉林大学,超硬材料国家重点实验室,吉林,长春,130012;北华大学,物理学院,吉林,吉林,132013

2.吉林大学,超硬材料国家重点实验室,吉林,长春,130012

3.吉林大学,超硬材料国家重点实验室,吉林,长春,130012

4.吉林大学,超硬材料国家重点实验室,吉林,长春,130012

5.吉林大学,超硬材料国家重点实验室,吉林,长春,130012

基金项目: 国家自然科学基金(50731006)

关键词：方钴矿 , 高温高压 , 热电材料

The effect of pressure on the electric transport properties of n-type CoSb2.750TexGe0.250-x skutterudite compounds

采用高温高压方法,在900K的温度条件下,成功合成出CoSb2.750TexGe0.250-x(x=0.125,0.175,0.200)n型方钴矿化合物,并考察了不同的压力对其电输运性能的影响规律.室温下对样品的电阻率(ρ),Seebeck系数(S)进行了测试分析.电学性能测试表明,方钴矿CoSb2.750TexGe0.250-x化合物的导电类型为n型,电阻率和Seebeck系数的绝对值随着压力的升高而增加,随着Te掺杂量的增加而降低.功率因子随合成压力增大而降低,随Te掺杂量的增加而升高.CoSb2.750Te0.200Ge0.050在2GPa时具有最大的功率因子为7.59μW/(cm·K2).

参考文献

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