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本文用X 射线径向分布函数、电镜观察、X 射线电子能谱和X 射线衍射图谱较系统地研究了纳米Si_3N_4固体。结果表明,纳米非晶Si_3N_4在25—1300℃热处理后颗粒没有明显长大,界面组分仍然占有相当大的比例,保持纳米非晶态基本特征、界面为一种新型短程序,Si—N 键配位严重不足,Si 悬键较多。纳米Si_3N_4键结构不是典型的共价键。高于400℃退火,氧化明显,试样表面有SiO_2生成。

The nanometer-sized silicon nitride solids(NANO-SNS),heated-treated atdifferent conditions,were systematically studied in terms of X-ray patterns and TEM observa-tions.The basic characterizations of the structure and the bond for NANO-SNS were re-vealed.T

参考文献

[1]
[2]
[3] Zhang L D,et al.Submitted to J Non-Crystalline Solids(accepted)
[4] Birringer R,Gleiter H,Klein H P et al.Phys Lett,1984
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