磷硅镉的差热分析与晶体生长

稀有金属材料与工程, 2015, 44(11): 2665-2669.

磷硅镉的差热分析与晶体生长

杨辉 ^1, , 朱世富 ^2, , 赵北君 ^3, , 何知宇 ^4, , 陈宝军 ^5, , 吴圣灵 ^6, , 吴敬尧 ^7, , 孙宁 ^8,

1.四川大学,四川成都,610064

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基金项目: National Natural Science Foundation of China (51172149)

关键词：磷硅镉 , 晶体生长 , 表征 , 差热分析

Differential Thermal Analysis and Crystal Growth of CdSiP2

Keywords： CdSiP2 , crystal growth , characterizations , differential thermal analysis

利用毛细管中的差热分析研究了磷硅镉晶体的热力学性质,得到了磷硅镉的熔点和凝固点分别为1139和1126℃,过冷度为13℃.根据差热分析结果,对晶体生长炉以及温场分布进行了优化,采用改进的布里奇曼法生长得到了直径15mm,长40 rnm的无开裂磷硅镉晶体.利用X射线衍射,能谱以及红外分光光度计对晶体进行了表征.发现了(112)解理面,能谱测试表明晶体符合化学计量配比,在7000～1500 cm-1红外透光范围内红外透过率达到55％.所有表征手段显示得到的晶体结构完整,光学性能良好,可用于器件的制作.

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