PLD方法生长ZnO/Si异质外延薄膜的研究

功能材料, 2005, 36(12): 1879-1882.

PLD方法生长ZnO/Si异质外延薄膜的研究

赵杰 ^1, , 胡礼中 ^2, , 王兆阳 ^3, , 李银丽 ^4, , 王志俊 ^5, , 张贺秋 ^6, , 赵宇 ^7,

1.大连理工大学,物理系,三束材料改性国家重点实验室,辽宁,大连,116024

2.大连理工大学,物理系,三束材料改性国家重点实验室,辽宁,大连,116024

3.大连理工大学,物理系,三束材料改性国家重点实验室,辽宁,大连,116024

4.大连理工大学,物理系,三束材料改性国家重点实验室,辽宁,大连,116024

5.大连理工大学,物理系,三束材料改性国家重点实验室,辽宁,大连,116024

6.大连理工大学,物理系,三束材料改性国家重点实验室,辽宁,大连,116024

7.大连理工大学,物理系,三束材料改性国家重点实验室,辽宁,大连,116024

基金项目: 中国科学院资助项目(60377005) 辽宁省科学基金(20022133)

关键词： ZnO薄膜 , 反射式高能电子衍射 , X射线衍射 , 光致发光

Research on ZnO/Si heteroepitaxy using pulsed laser deposition

用脉冲激光沉积法在Si(111)衬底上制备了ZnO薄膜.RHEED和XRD测试表明,直接沉积在Si衬底上的ZnO薄膜为多晶薄膜,且薄膜的结晶质量随衬底温度的升高而下降.相比之下,生长在一低温同质缓冲层上的ZnO薄膜则展现出规则的斑点状RHEED图像,说明它们都是外延生长的高质量ZnO薄膜.XRD与室温PL谱分析表明,外延ZnO薄膜的质量随衬底温度的升高得到明显的改善.在650℃生长的样品具有最好的结构和发光特性,其(002)衍射峰的半高宽为0.185°,UV峰的半高宽仅为86meV.

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