基于绝缘体上硅(SOI)的CMOS电路具有天然的抗单粒子优势,但绝缘埋层的存在使得其总剂量效应尤为突出和复杂.本文研究了利用离子注入改性SOI材料的总剂量辐射和退火效应、基于赝MOS技术的SOI材料辐射效应评估技术和离子注入改性提高SOI材料抗辐射性能的机理.实验结果表明,采用该技术制备的绝缘体上硅材料抗总剂量能力达到1Mrad (Si);离子注入改性SOI材料在经过室温和高温退火后,辐射导致的固定电荷和界面态可以完全恢复;离子注入和高温退火在二氧化硅薄膜中形成硅纳米团簇结构,从而引入深电子陷阱,补偿总剂量辐射引起的绝缘埋层中的空穴积累.
参考文献
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| [2] | Sorin Cristoloveanu;Daniela Munteanu;Michael S. T. Liu .A review of the pseudo-MOS transistor in SOI wafers: operation, parameter extraction, and applications[J].IEEE Transactions on Electron Devices,2000(5):1018-1027. |
| [3] | Jun B.;Fleetwood D.M.;Schrimpf R.D.;Zhou X.;Montes E.J.;Cristoloveanu S. .Charge separation techniques for irradiated pseudo-MOS SOI transistors[J].IEEE Transactions on Nuclear Science,2003(6):1891-1895. |
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