高质量直径180mm氟化锂晶体的生长

人工晶体学报, 2012, 41(2): 544-545.

高质量直径180mm氟化锂晶体的生长

甄西合 ^1, , 任绍霞 ^2, , 刘建强 ^3, , 史达威 ^4, , 张钦辉 ^5, , 葛云程 ^6,

1.北京玻璃研究院,北京100062

2.北京玻璃研究院,北京100062

3.北京玻璃研究院,北京100062

4.北京玻璃研究院,北京100062

5.北京玻璃研究院,北京100062

6.北京一轻研究院,北京100062

关键词：氟化锂晶体 , 坩埚下降法 , 深紫外 , 透过率

Growth of High Quality LiF Crystal with φ180 mm

通过对晶体原料的提纯及生长工艺条件的优化,采用改进的坩埚下降法成功地制备出直径达到180mm的高质量氟化锂单晶.晶体的透过率在0.2～6.5 μm波长范围内最高透过率约为94％.

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