用直流反应磁控溅射法制备了TiO2薄膜,并对热处理前后试样的紫外可见光谱(UV-Vis spectrum)和荧光发射光谱(PL Spectrunm)做了研究.发现热处理后试样的紫外可见光谱在496 nm处出现了一个较为明显的吸收峰,荧光发射光谱496.5 nm处出现一个荧光发射带肩.X射线光电子能谱(XPS)的分析结果表明,热处理可使薄膜中晶格氧扩散出去,生成Ti3+离子和氧空位.结合XPS的分析结果和理论计算,可推断热处理后出现的位于496 nm处的吸收峰和496.5 nm处的荧光带肩可被指认为薄膜中Ti3+离子的d电子跃迁产生.
参考文献
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